H Samsung κατασκεύασε MLC NAND των 64Gb με DDR2 Interface

Η Samsung Electronics Co.Ltd, ανακοίνωσε ότι έχει αρχίσει η πρώτη παραγωγή υψηλών επιδόσεων τσιπ μνήμης MLC NAND με DDR 2.0 interface.
Το νέο τσιπ flash NAND διαθέτει 64 gigabit (Gb) πυκνότητα, που κατέστη δυνατή με τη χρήση προηγμένης τεχνολογίας ολοκλήρωσης στα 20 nanometer.

Το τσιπ έχει σχεδιαστεί για να υποστηρίξει τις απαιτήσεις υψηλών επιδόσεων κινητών συσκευών, όπως τα smartphones και τα solid state drives (SSDs) της επόμενης γενιάς.

Τα νέα Samsung NAND flash είναι εξοπλισμένα με DDR 2 (Double Data Rate) interface κι έτσι με την πυκνότητα των 64 gigabit μπορεί να μεταδώσει δεδομένα σε ζώνη εύρους μέχρι και 400 megabit ανά δευτερόλεπτο (Mbps).
Αυτό παρέχει μια 10-πλάσια αύξηση απο τις τεχνολογίες που χρησιμοποιούνται σήμερα.